PRICES include / exclude VAT
Homepage>CSN Standards>35 ELECTRICAL ENGINEERING>3587 Semiconductor elements>CSN EN IEC 60749-18 ed. 2 - Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 18: Ionizing radiation (total dose)
Sponsored link
Released: 01.12.2019
CSN EN IEC 60749-18 ed. 2 - Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 18: Ionizing radiation (total dose)

CSN EN IEC 60749-18 ed. 2

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 18: Ionizing radiation (total dose)

Format
Availability
Price and currency
English Hardcopy
In stock
76.67 USD
FREE Shipping
Number of Standard:CSN EN IEC 60749-18 ed. 2
Category:358799
Pages:32
Released:01.12.2019
Catalog number:509091
DESCRIPTION

CSN EN IEC 60749-18 ed. 2

CSN EN IEC 60749-18 ed. 2 Tato norma stanoví zkušební postup na definování požadavků pro zkoušení zapouzdřených polovodičových integrovaných obvodů a diskrétních polovodičových součástek na účinky ionizujícího záření (celkovou dávkou) ze zdroje gama paprsku kobaltu-60 (60Co). Mohou se použít i jiné vhodné zdroje záření. Uvádí čtyři zkoušky, které jsou uvedeny v tomto postupu: a) standardní zkouška ozářením při pokojové teplotě; b) zkouška ozářením při zvýšené/kryogenní teplotě; c) zrychlená zkoušku žíháním; d) rozšířená citlivostní zkouška při nízké intenzitě dávky (ELDRS). Norma je určena pouze pro ustálená záření a nelze ji použít pro pulsní typy záření. Je určena pro vojenské a kosmické účely. Zkoušky podle této normy mohou vytvářet závažné degradace elektrických vlastností ozařovaných součástek, proto jsou tyto zkoušky považovány za destruktivní.
Original English text of CSN EN Standard.
The price of the Standard included all amendments and correcturs.