PRICES include / exclude VAT
Homepage>CSN Standards>35 ELECTRICAL ENGINEERING>3587 Semiconductor elements>CSN EN IEC 63373 - Dynamic on-resistance test method guidelines for GaN HEMT based power conversion devices
Sponsored link
Released: 01.10.2022
CSN EN IEC 63373 - Dynamic on-resistance test method guidelines for GaN HEMT based power conversion devices

CSN EN IEC 63373

Dynamic on-resistance test method guidelines for GaN HEMT based power conversion devices

Format
Availability
Price and currency
English Hardcopy
In stock
67.78 USD
FREE Shipping
Number of Standard:CSN EN IEC 63373
Category:358766
Pages:24
Released:01.10.2022
Catalog number:514958
DESCRIPTION

CSN EN IEC 63373

CSN EN IEC 63373 Obecně je zkoušení dynamického elektrického odporu v sepnutém stavu měřítkem jevů zachycování náboje ve výkonových tranzistorech GaN. Tato norma poskytuje návod pro zkoušení dynamického odporu v sepnutém stavu laterálních výkonových tranzistorů GaN. Zkušební metody lze použít pro následující případy: a) diskrétní výkonové součástky GaN v obohaceném a ochuzeném režimu [3]; b) GaN v integrovaných výkonových řešeních; c) výše uvedené na úrovni desky nebo pouzdra. Předepsané zkušební metody lze použít pro stanovení charakteristik součástek, výrobní zkoušky, hodnocení spolehlivosti a posouzení aplikací GaN součástek pro výkonové měniče. Tato norma se nezabývá příslušnými mechanismy dynamického elektrického odporu v sepnutém stavu a jeho symbolické reprezentace pro specifikace výrobků.
Original English text of CSN EN Standard.
The price of the Standard included all amendments and correcturs.