31.080.30 Transistors

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in stock
Released: 1996-09-01
UNE EN 120003:1992
BDS: PHOTOTRANSISTORS, PHOTOCARLINGTON TRANSISTORS, PHOTOTRANSISTOR ARRAYS. (Endorsed by AENOR in September of 1996.)
Especificación marco particular: Fototransistores, fototransistores darlington, matrices de fototransistores. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)
LANGUAGE
English
in stock
Released: 1996-09-01
UNE EN 120004:1992
BDS: AMBIENT RATED PHOTOCOUPLERS WITH PHOTOTRANSISTORS OUTPUT. (Endorsed by AENOR in September of 1996.)
Especificación marco particular: Características nominales ambientales de los fotoacopladores con salida de fototransistores. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)
LANGUAGE
English
in stock
Released: 1996-11-01
UNE EN 150003:1991
BDS: CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTORS FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION. (Endorsed by AENOR in November of 1996.)
Especificación marco de detalle: Características nominales del encapsulado de los transistores bipolares para amplificación de baja frecuencia. (Ratificada por AENOR en noviembre de 1996.)
LANGUAGE
English
in stock
Released: 1996-11-01
UNE EN 150004:1991
BDS: BIPOLAR TRANSISTORS FOR SWITCHING APPLICATIONS. (Endorsed by AENOR in November of 1996.)
Especificación marco de detalle: Transistores bipolares para ser empleados como interruptor. (Ratificada por AENOR en noviembre de 1996.)
LANGUAGE
English
in stock
Released: 1996-11-01
UNE EN 150007:1991
BDS: CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTORS FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFICATION. (Endorsed by AENOR in November of 1996.)
Especificación marco de detalle: Características nominales del encapsulado de los transistores bipolares para amplificación de alta frecuencia. (Ratificada por AENOR en noviembre de 1996.)
LANGUAGE
English
in stock
Released: 1996-11-01
UNE EN 150012:1991
BDS: SINGLE GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS. (Endorsed by AENOR in November of 1996.)
Especificación marco de detalle: Transistor de efecto de campo (FET) de puerta simple. (Ratificada por AENOR en noviembre de 1996.)
LANGUAGE
English
in stock
Released: 2006-11-01
UNE EN 62373:2006
Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Endorsed by AENOR in November of 2006.)
Ensayo de estabilidad a temperatura Bias para óxido metálico, semiconductores, transistores de efecto de campo (IEC 62373:2006) (Ratificada por AENOR en noviembre de 2006).
LANGUAGE
English